Vol. 3 No. 04 (2026): INTERNATIONAL JOURNAL OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
Articles

METALLOKSID YUPQA PLYONKALAR ASOSIDA METALL-DIELEKTRIK - YARIMOʻTKAZGICH TUZILMALAR TAYYORLASH VA ULARNING FIZIK XOSSALARI

PDF
  • Solijonov Davronbek Otabek oʻgʻli,
  • A’zamjonova Gulyora Nodirbek qizi
Solijonov Davronbek Otabek oʻgʻli
Andijon Davlat Universiteti
A’zamjonova Gulyora Nodirbek qizi
Namangan Davlat Universiteti

Published 23-03-2026

Keywords

  • Metalloksid yupqa plyonkalar, metall–dielektrik–yarimo‘tkazgich tuzilmalari, MDY strukturalar, yupqa plyonka texnologiyasi, atom qatlamli cho‘ktirish (ALD), kimyoviy bug‘ fazasida cho‘ktirish (CVD), sol–gel texnologiyasi, termik oksidlanish, nanostrukturalar, yarimo‘tkazgich materiallar, dielektrik materiallar, kristall tuzilish, sirt morfologiyasi, elektr xossalari, fizik xossalar, qalinligi nanometr darajasidagi plyonkalar, epitaksiya, yarimo‘tkazgich qurilmalar, mikroelektronika, nanoelektronika, optoelektronika, ko‘p qatlamli tuzilmalar, zaryad tashuvchilar konsentratsiyasi, elektr o‘tkazuvchanlik, dielektrik doimiysi.
Creative Commons License

This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.

How to Cite

METALLOKSID YUPQA PLYONKALAR ASOSIDA METALL-DIELEKTRIK - YARIMOʻTKAZGICH TUZILMALAR TAYYORLASH VA ULARNING FIZIK XOSSALARI. (2026). INTERNATIONAL JOURNAL OF SCIENCE AND TECHNOLOGY, 3(04), 54-60. https://doi.org/10.70728/tech.v3.i04.008

Abstract

Mazkur maqolada metalloksid yupqa plyonkalar asosida metall–dielektrik–yarimo‘tkazgich (MDY) tuzilmalarni tayyorlash texnologiyalari hamda ularning fizik xossalarini tadqiq etish masalalari ko‘rib chiqiladi. Hozirgi kunda mikroelektronika, optoelektronika va nanoteknologiya sohalarining jadal rivojlanishi yuqori sifatli yupqa plyonkali materiallar va ular asosida yaratiladigan ko‘p qatlamli tuzilmalarga bo‘lgan talabni keskin oshirmoqda. Ayniqsa, metalloksid asosidagi yupqa plyonkalar yuqori dielektrik doimiysi, termik barqarorligi, kimyoviy mustahkamligi hamda elektr xossalarining keng diapazonda boshqarilishi mumkinligi bilan ilmiy va amaliy jihatdan katta qiziqish uyg‘otmoqda.Tadqiqotda metall–dielektrik–yarimo‘tkazgich tuzilmalarning shakllanish jarayoni, ularni tayyorlashda qo‘llaniladigan zamonaviy texnologiyalar hamda plyonkaning strukturaviy, morfologik va elektr xossalariga ta’sir etuvchi omillar tahlil qilinadi. Metalloksid yupqa plyonkalarni hosil qilishda atom qatlamli cho‘ktirish, kimyoviy bug‘ fazasida cho‘ktirish, sol-gel texnologiyasi, termik oksidlanish va boshqa fizik-kimyoviy usullar keng qo‘llanilishi mumkinligi ko‘rsatib o‘tiladi. Ushbu usullar orqali olingan plyonkalar qalinligi nanometr darajasida bo‘lib, ular yuqori bir xillik, sirt tekisligi va yaxshi kristall tuzilishga ega bo‘lishi mumkin.

PDF

References

  1. 1.Sze S.M., Ng K.K. Physics of Semiconductor Devices. – New Jersey: John Wiley & Sons, 2007.
  2. 2.Ohring M. Materials Science of Thin Films. – San Diego: Academic Press, 2002.
  3. 3.George S.M. Atomic Layer Deposition: An Overview. Chemical Reviews, 2010, Vol. 110, pp. 111–131.
  4. 4.Smith D.L. Thin-Film Deposition: Principles and Practice. – New York: McGraw-Hill, 1995.
  5. 5.Bratvold J.E., et al. Phase and Orientation Control of NiTiO₃ Thin Films. Thin Film Materials Journal, 2019.
  6. 6.Xu X., et al. Influence of Carrier Gas on α-Ga₂O₃ Thin Films Grown by Mist Chemical Vapor Deposition. Applied Surface Science, 2018.
  7. 7.Duparc Q., et al. Atomic Layer Deposition of GdCoO₃ and Gd₀.₉Ca₀.₁CoO₃ Thin Films. Journal of Materials Science, 2017.
  8. 8.Singh R., et al. Metal Oxide Thin Films for Electronic and Optoelectronic Applications. Materials Science in Semiconductor Processing 2016.
  9. 9.Chen F., et al. Structural and Electrical Properties of Metal Oxide Thin Films. Surface and Coatings Technology, 2015.
  10. 10.Streetman B.G., Banerjee S. Solid State Electronic Devices. – New York: Pearson Education, 2014.